Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 14,9А; Idm: 25А

Немає в наявності
Код товару: SIR5712DP-T1-GE3
27,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR5712DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,8нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 55,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 14,9А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Провід; тросик; Cu; 14AWG; ПВХ; синій; 600В; CPR: брак класифікації
Провід; тросик; Cu; 14AWG; ПВХ; синій; 600В; CPR: брак класифікації

64,62 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я; що самогаситься
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 15ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 41,67мА
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 15ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 41,67мА

146,98 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
41,67мА
Вхідна напруга:
15В DC
Зовнішні розміри:
11,68x6x9,65мм
Резистор: thin film; 24,9кОм; прецизійний; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 24,9кОм; прецизійний; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%

5,70 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; steel; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; steel; 3N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 90; THT; angled; 3x30
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 90; THT; angled; 3x30

159,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
18,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 8,2кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 8,2кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Patch cord; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 35м; тросик; Cu
Patch cord; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 35м; тросик; Cu

10745,71 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD