Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 4А; Idm: 15А; SO8

Немає в наявності
Код товару: SI4848BDY-T1-GE3
14,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4848BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 3,7нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 89мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,5Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 300Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 100мА; THT
Перетворювач: DC/DC; 300Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 100мА; THT

9439,95 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
60А
Вхідна напруга:
48В DC
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 2м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 2м; тросик

1115,05 грн

Будова екрану:
обплетення з алюмінієвих дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 50В; X8G; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 50В; X8G; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Резистор: thin film; 205кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 205кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 1512Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 1512Вт

18388,26 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
277A
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
31,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,3Ом
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23