1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 190В; 0,53А; 13Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 190В; 0,53А; 13Вт
Немає в наявності
Код товару: SIB452DK-T1-GE3
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIB452DK-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,5нКл
Корпус: PowerPAK® SC75
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 190В
Опір в стані провідності: 6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13Вт
Струм стока: 0,53А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: wire-board; male; data; Minimodul; Inom: 5A; PIN: 2; 2.5mm
Connector: wire-board; male; data; Minimodul; Inom: 5A; PIN: 2; 2.5mm

7,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 4
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 4

2508,87 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
4
Клас герметичності:
IP20
Резистор: thin film; 10,5Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; -55÷155°C
Резистор: thin film; 10,5Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; -55÷155°C

27,37 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Опір:
10,5Ом
Резистор: thin film; 54,9кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 54,9кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

9,88 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
54,9кОм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2700мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2700мкФ; 25ВDC; ±20%

93,13 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
16мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,8А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,8А; 1,4Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK