Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 11А; 136Вт

Немає в наявності
Код товару: SUD19N20-90-E3
178,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUD19N20-90-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: 11А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: wire-board; plug; female; data; Mini-SPOX; PIN: 14; 2.5mm
Connector: wire-board; plug; female; data; Mini-SPOX; PIN: 14; 2.5mm

11,85 грн

Alias:
50375143
Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
14
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; screw-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; screw-in; 100mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1мм
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А

83,00 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
3...50В
Недоступний
Резистор: thin film; 42,2Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 42,2Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Модуль автоматики: карта послідовних портів; 260мА; 168x111мм
Модуль автоматики: карта послідовних портів; 260мА; 168x111мм

10591,75 грн

Інтерфейс:
PCI; RS232/RS422/RS485 x8
Підключення:
D-Sub 62pin; гніздовий
Робоча температура:
-10...60°C
Розміри:
168x111мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 250V

77,93 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; 2м; IP67

2859,86 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
55мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD