Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 5,1А; Idm: 20А

Немає в наявності
Код товару: SI2312CDS-T1-BE3
6,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2312CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 8,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 31,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,1Вт
Струм стока: 5,1А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 0,8Вт; 22В; SMD; DO219AB,SMF; одиночний діод
Діод: зенера; 0,8Вт; 22В; SMD; DO219AB,SMF; одиночний діод

2,36 грн

Зенерівська напруга:
22В
Корпус:
DO219AB; SMF
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,8Вт
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 250мВт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP4
Перетворювач: DC/DC; 250мВт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP4

207,81 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Зовнішні розміри:
11,7x6x9,7мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: metal film; 178кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 178кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм

1,13 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Кабель; H05VV-F; 3x2,5мм2; CEE 7/7 (E/F) вилка,проводи; ПВХ; 2м
Кабель; H05VV-F; 3x2,5мм2; CEE 7/7 (E/F) вилка,проводи; ПВХ; 2м

436,52 грн

Вид кабелю:
H05VV-F
Вид проводу:
H05VV-F
Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Недоступний
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD