Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 18А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SQ4182EY-T1_BE3
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SQ4182EY-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,1Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210

13,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 22000мкФ; 6,3ВDC; Ø18x35,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 22000мкФ; 6,3ВDC; Ø18x35,5мм

79,83 грн

Висота:
35,5мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мФ
Резистор: thick film; 174Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 174Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Контролер крокового двигуна; STSPIN820; 900мА; Uвх двиг: 7÷45В
Контролер крокового двигуна; STSPIN820; 900мА; Uвх двиг: 7÷45В

1476,18 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вхідна напруга двигуна:
7...45В
Вхідна напруга логічної частини:
2...5,5В
Вхідний безперервний струм на канал:
900мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

7,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 16Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 16Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23