Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 206А; 130Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJ120ELP-T1_GE3
30,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ120ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 74нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,74мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 206А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPST; 10A/24ВDC; IP65; OFF-ON
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPST; 10A/24ВDC; IP65; OFF-ON

354,79 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА; ролик,cтрічка

353,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; WK73R; 200В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; WK73R; 200В

0,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
0612
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; angled; 1x25
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; angled; 1x25

44,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
18,9мм
Електричний монтаж:
THT
Дистанційна шайба; для роз'ємів на рейку
Дистанційна шайба; для роз'ємів на рейку

48,78 грн

Застосування роз’ємів:
для роз'ємів на рейку
Тип аксесуарів для роз’ємів:
дистанційна шайба
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12нФ; 50В; X8G; ±2%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12нФ; 50В; X8G; ±2%; SMD; 1206; 180мм

11,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 330мм

2,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263