Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24,5А; Idm: 70А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24,5А; Idm: 70А
Brand: VISHAY
SKU: SIRA18ADP-T1-GE3
Price: 46.88 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: SIRA18ADP-T1-GE3

46,88 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SIRA18ADP-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

21,5нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-16...20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

13,5мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

9,4Вт

Струм стока:

24,5А

Струм стоку в імпульсі:

70А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
80,4нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
59нКл

Корпус:
D2PAK-7

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
10,5нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD