1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт
Немає в наявності
Код товару: SISA12ADN-T1-GE3
78,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISA12ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 18Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

9,50 грн

Alias:
KGM21NR72A102KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 10А

86,16 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
31,2В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 442кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 442кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
442кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 35В; X7R; ±20%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 35В; X7R; ±20%; SMD; 0805; 330мм

2,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 12,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 12,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 4,53кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,53кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
4,53кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В