Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 28А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SI7636DP-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7636DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,2Вт
Струм стока: 28А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 27кОм; 0603; 100мВт; ±1%; AF; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 27кОм; 0603; 100мВт; ±1%; AF; 1,6x0,8x0,45мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 320ВА; 400ВAC; 48В; Вив: затискна планка
Трансформатор: мережевий; 320ВА; 400ВAC; 48В; Вив: затискна планка

3568,81 грн

Виводи:
затискна планка
Вторинна напруга 1:
48В
Електрична міцність ізоляції:
4,5кВ/60с
Зовнішні розміри:
108x135x138мм
Недоступний
Кінцевий датчик; регульований важіль, ролик; 10А; макс.240ВAC
Кінцевий датчик; регульований важіль, ролик; 10А; макс.240ВAC

2674,23 грн

Вид головки:
регульований важіль, ролик
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Макс. струм контактів:
10А
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 180Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 180Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

6,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%; ERA8ARW
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%; ERA8ARW

38,65 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 3А; 5Вт; SC73,SOT223
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 3А; 5Вт; SC73,SOT223

13,49 грн

Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SC73; SOT223
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
100В
Недоступний
Резистор: thin film; 56кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 56кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,82 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD