Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 32А; Idm: 90А; 17Вт

Немає в наявності
Код товару: SIRA18DDP-T1-GE3
9,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRA18DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,2нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,83мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17Вт
Струм стока: 32А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 27,4кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27,4кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,97 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 270мОм; SMD; 0805; 130мВт; ±5%; RL; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270мОм; SMD; 0805; 130мВт; ±5%; RL; -55÷155°C

2,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
2x1,25мм
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: metal film; 500Ом; THT; 1Вт; ±1%; MF; 500В; Ø5x12мм; осьові
Резистор: metal film; 500Ом; THT; 1Вт; ±1%; MF; 500В; Ø5x12мм; осьові

1,23 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Допуск:
±1%
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 1x0,5x0,35мм
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 1x0,5x0,35мм

0,69 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
39,2кОм
Недоступний
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; OMNIMATE; 20А
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; OMNIMATE; 20А

114,04 грн

Alias:
LMF 5.08/07/180 3.5SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Кількість пін:
7
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Резистор: thin film; 43,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 43,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RS73G; 150В
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RS73G; 150В

0,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263