Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 544А; Idm: 800А

Немає в наявності
Код товару: SIRS4300DP-T1-RE3
105,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRS4300DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 84нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 544А
Струм стоку в імпульсі: 800А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 32А; 30ВAC; 60ВDC; синій
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 32А; 30ВAC; 60ВDC; синій

127,98 грн

Довжина:
69мм
Колір:
синій
Макс. переріз проводу:
2,5мм2
Модель роз’єму:
з поперечним гніздом 4мм; неізольований
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1848,71 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PU
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

0,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
0,2пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 53,6Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 53,6Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0805; 125мВт,250мВт; ±1%
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0805; 125мВт,250мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 680мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; -55÷155°C

4,94 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; HV; 800В
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; HV; 800В

2,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1,5кВ
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263