1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 6,8А; Idm: 32А; 5Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 6,8А; Idm: 32А; 5Вт
Немає в наявності
Код товару: SQ3410EV-T1_GE3
14,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ3410EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 17,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: 6,8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; OMNIMATE
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; OMNIMATE

110,87 грн

Alias:
LSF-SMT 5.08/08/135 1.5SN BK RL
Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
14,4мм
Електричний монтаж:
THT; пружинний затиск
Недоступний
Резистор: thick film; 1,15МОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,15МОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Роз’єм: BNC; вилка; коаксіальний; прямий; 75Ом; затискання; латунь
Роз’єм: BNC; вилка; коаксіальний; прямий; 75Ом; затискання; латунь

272,43 грн

Connector family:
коаксіальний
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
латунь
Покриття контакту:
позолочений
Діод: перемикальний; THT; 125В; 0,5А; Ifsm: 4А; DO35; ролик,cтрічка
Діод: перемикальний; THT; 125В; 0,5А; Ifsm: 4А; DO35; ролик,cтрічка

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний
Зворотна напруга макс.:
125В
Корпус:
DO35
Недоступний
Резистор: thick film; 220кОм; високої потужності; SMD; 2010; 2Вт
Резистор: thick film; 220кОм; високої потужності; SMD; 2010; 2Вт

4,88 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Резистор: thick film; 249Ом; 0805; 250мВт; ±0,5%; 2x1,25x0,6мм
Резистор: thick film; 249Ом; 0805; 250мВт; ±0,5%; 2x1,25x0,6мм

1,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 250нГн; 250мА; R: 2,28Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 250нГн; 250мА; R: 2,28Ом; ±2%; LQW

3,28 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
0,25мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

176,76 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD