Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 123А; 136Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJ152ELP-T1_GE3
23,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ152ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: 123А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 374кОм; 0603; 63мВт; ±0,1%; 1,55x0,8x0,45мм
Резистор: thin film; 374кОм; 0603; 63мВт; ±0,1%; 1,55x0,8x0,45мм

6,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Наконечник; усічений конус; 2,4мм; для газового паяльника
Наконечник; усічений конус; 2,4мм; для газового паяльника

579,07 грн

Застосування паяльного обладнання:
для газового паяльника
Розміри наконечника:
2,4мм
Супутні товари:
PORTAPRO
Тип наконечника:
soldering
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A

513,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: metal film; 221мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 221мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,81 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Роз’єм: живлення АС, 3-фазний; гніздо; гніздовий; 16А; 400ВAC
Роз’єм: живлення АС, 3-фазний; гніздо; гніздовий; 16А; 400ВAC

650,03 грн

Alias:
IEG 1653
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Недоступний
Резистор: thick film; 20,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 20,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
M25; IP66,IP68; поліамід 6; чорний; для проводу; vg; BAR,прямий
M25; IP66,IP68; поліамід 6; чорний; для проводу; vg; BAR,прямий

145,08 грн

Type of cable gland:
cable
Довжина гвинта:
10мм
Зовнішній діаметр проводу:
13...18мм
Клас герметичності:
IP66; IP68
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 30А; 60Вт; DPAK; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 30А; 60Вт; DPAK; автомобільна галузь

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 74А
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 74А

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22нКл
Напруга сток-джерело:
150В
Струм стока:
74А
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 142Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 142Вт

197,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
51нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 2А
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 2А

4216,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
40В
Струм стока:
2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD