Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 48А; 33Вт

Немає в наявності
Код товару: SQS840EN-T1_GE3
20,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS840EN-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 13,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 12А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 12А

108,34 грн

Alias:
SL 3.50/10/90 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
10,7мм
Резистор: metal film; 100Ом; 250мВт; ±1%; MFR; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: metal film; 100Ом; 250мВт; ±1%; MFR; -55÷155°C; 100ppm/°C

0,46 грн

Виводи:
осьові
Довжина:
3,4мм
Допуск:
±1%
Опір:
100Ом
Недоступний
ROCKER; DPDT; ON-(ON); 3A/120ВAC; 3A/28ВDC; чорний; 400; срібло; THT
ROCKER; DPDT; ON-(ON); 3A/120ВAC; 3A/28ВDC; чорний; 400; срібло; THT

202,10 грн

Виводи:
для друку
Колір клавіші:
чорний
Конфігурація контактів:
DPDT
Матеріал контакту:
срібло
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 1,5мкГн; ±20%; 2,7x2,2x1,2мм; 60мОм
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 1,5мкГн; ±20%; 2,7x2,2x1,2мм; 60мОм

4,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Корпус - дюйм:
1008
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 133Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 133Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C

2,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 26,5ВDC; SPDT; ton/off: 15мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 26,5ВDC; SPDT; ton/off: 15мс

124553,50 грн

Конфігурація контактів:
SPDT
Напруга котушки:
26,5В DC
Номінальний струм:
30А
Робоча температура:
-55...125°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD