Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 200А; 150Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJQ404E-T1_GE3
84,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ404E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 175нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,72мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

2,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 180мм

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±30ppm

10,01 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø12,5x30мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø12,5x30мм; ±20%

207,17 грн

Виводи:
осьові
Висота:
30мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

2,58 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

176,76 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD