Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 70А

Немає в наявності
Код товару: SIR426DP-T1-GE3
81,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIR426DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 31нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 10,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26,7Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Кристал; 20пФ; ESR: 50Ом; 12,288МГц; Стаб.част: ±50ppm
Кристал; 20пФ; ESR: 50Ом; 12,288МГц; Стаб.част: ±50ppm

9,95 грн

Допуск резонаторів:
±15ppm
Ємність:
20пФ
Опір ESR:
50Ом
Стабільність частоти:
±50ppm
Недоступний
Діод: TVS; 500Вт; 22,2В; 15,4А; двоспрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 500Вт; 22,2В; 15,4А; двоспрямована; DO214AC,SMA

16,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
20В
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 331 600V; 1x1,5мм2; тросик; Cu,луджена
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 331 600V; 1x1,5мм2; тросик; Cu,луджена

62,09 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,13 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
LED; УФ; 8°; 20мА; P: 114мВт; 400÷410нм; 3÷3,8ВDC; THT
LED; УФ; 8°; 20мА; P: 114мВт; 400÷410нм; 3÷3,8ВDC; THT

41,81 грн

Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
400...410нм
Колір діода LED:
УФ
Кут світіння:
8°
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; straight

34,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD