Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 562А; Idm: 900А
Brand: VISHAY
SKU: SIJK140E-T1-GE3
Price: 231.88 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 562А; Idm: 900А

Немає в наявності

Код товару: SIJK140E-T1-GE3

231,88 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2000

Крок додавання: 2000

Код товару:

SIJK140E-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

312нКл

Корпус:

PowerPAK® 1012

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

470мкОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

536Вт

Струм стока:

562А

Струм стоку в імпульсі:

900А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Бажані

Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 12A/250ВAC; G2RL

192,60 грн

Виводи:
для друку

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм

Конфігурація контактів:
SPST-NO

Макс. струм контактів:
12А

Бажані

З амортизатором; NPT1/2"; IP68; поліамід; чорний; HSK-K-FLEX

68,42 грн

Type of cable gland:
cable

Версія введення:
з амортизатором

Вид різьблення:
дюймове

Довжина гвинта:
13мм

Бажані

Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRG

0,61 грн

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
0402

Корпус - мм:
1005

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
135нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
14,6нКл

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
5,9нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
62нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD