Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 78А; Idm: 368А

Немає в наявності
Код товару: SQS150ENW-T1_GE3
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS150ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 117Вт
Струм стока: 78А
Струм стоку в імпульсі: 368А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: wire-board; plug; data; DF50A; 1A; 100V; PIN: 10; 1mm
Connector: wire-board; plug; data; DF50A; 1A; 100V; PIN: 10; 1mm

9,69 грн

Alias:
CL0665-1018-6-00
Connector family:
data
Engineering PN:
CL0665-1018-6-00
Електричний монтаж:
затискання
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RC; 1,6x0,8мм
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RC; 1,6x0,8мм

0,13 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
M20; IP66,IP68; brass; silver; vg; EMC; Cable gland: cable; 38x32mm
M20; IP66,IP68; brass; silver; vg; EMC; Cable gland: cable; 38x32mm

829,96 грн

Type of cable gland:
cable
Довжина гвинта:
5,99мм
Зовнішній діаметр проводу:
5,99...12мм
Зовнішні розміри:
38x32мм
Недоступний
Резистор: thick film; 47мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Модуль: тиристорний; одиночний тиристор; 1,6кВ; 130А; ECO-PAC 2
Модуль: тиристорний; одиночний тиристор; 1,6кВ; 130А; ECO-PAC 2

1970,35 грн

Виводи:
дріт Ø1,5мм
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА

170,43 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263