Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 0,44А; 0,43Вт

Немає в наявності
Код товару: SQ1464EEH-T1_GE3
11,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ1464EEH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 4,1нКл
Корпус: SC70-6; SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,41Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,43Вт
Струм стока: 0,44А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: metal film; 150Ом; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C
Резистор: metal film; 150Ом; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C

2,74 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 806Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 806Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Реле: встановлювальний; бістабільне,імпульсний; NC + NO; BI; 25А
Реле: встановлювальний; бістабільне,імпульсний; NC + NO; BI; 25А

722,25 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Зовнішні розміри:
17,6x90x65мм
Кількість режмів роботи:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 87,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 87,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 54; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 54; THT; 3A; 150V

1807,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
11,05мм
Довжина відводів:
10,85мм
Недоступний
Резистор: thin film; 9,09кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 9,09кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 30А; 60Вт; DPAK; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 30А; 60Вт; DPAK; автомобільна галузь

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 74А
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 74А

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22нКл
Напруга сток-джерело:
150В
Струм стока:
74А
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 142Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 142Вт

197,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
51нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 2А
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 2А

4216,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
40В
Струм стока:
2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD