Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6,2А; Idm: 40А

Немає в наявності
Код товару: SI7850DP-T1-GE3
141,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: 6,2А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Patch cord; S/FTP; Cat 7; RJ45 вилка,RJ45 кутова вилка права
Patch cord; S/FTP; Cat 7; RJ45 вилка,RJ45 кутова вилка права

760,90 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Резистор: thick film; 33Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±5%; -55÷155°C

1,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 18Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 18Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; роз'єм живлення; 20А
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; роз'єм живлення; 20А

13,30 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 2220

240,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

212,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 3А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 3А; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 426А; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 426А; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,9А; Idm: 28А; 145Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,9А; Idm: 28А; 145Вт; TO252

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 225мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 225мВт

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 35А; Idm: 200А; 37,5Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 35А; Idm: 200А; 37,5Вт; QFN3X3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 32А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 32А; Idm: 180А

101,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD