1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 67А; 89Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 67А; 89Вт
Немає в наявності
Код товару: SQJ166ELP-T1_GE3
26,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ166ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 9,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 89Вт
Струм стока: 67А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; Idm: 7,7А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; Idm: 7,7А; 3,1Вт; SOT223

18,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,2нКл
Корпус:
SOT223
Недоступний
Дисплей: TFT; 7"; 800x480; Підсв: LED; Вим: 165,6x100,6x10,2мм
Дисплей: TFT; 7"; 800x480; Підсв: LED; Вим: 165,6x100,6x10,2мм

0,00 грн

Вид дисплея:
графічний
Вид контролера:
FT812
Властивості дисплеїв:
безбликове скло; інтелігентний; монтажна рамка
Діагональ екрану:
7"
Недоступний
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; 3,5м; тросик; Cu; LSZH; 26AWG
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; 3,5м; тросик; Cu; LSZH; 26AWG

454,89 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
U/UTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 17,1В; 24А; односпрямована; ±5%; DO214AA,SMB; SM6T
Діод: TVS; 600Вт; 17,1В; 24А; односпрямована; ±5%; DO214AA,SMB; SM6T

10,64 грн

Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
15,3В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; M12 прямий "папа",М8 "мама" кутовий
Кабель: до датчиків; PIN: 3; M12 прямий "папа",М8 "мама" кутовий

1052,97 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Ключ: комбінований; двосторонній; 21мм; L: 255мм
Ключ: комбінований; двосторонній; 21мм; L: 255мм

636,09 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 3113A; ISO 7738
Властивості ключів:
поверхня ключів хромована
Довжина:
255мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23