Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 39Вт

Немає в наявності
Код товару: SQS460ENW-T1_GE3
32,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS460ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 39Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 32МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; SSOP28; PIC24
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 32МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; SSOP28; PIC24

185,00 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
I2C; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI; UART
Недоступний
Кримпер: кабельних наконечників; трубні з’єднувачі; 6÷50мм2
Кримпер: кабельних наконечників; трубні з’єднувачі; 6÷50мм2

22567,82 грн

Застосування інструментів для обробки кінцівок:
кільцевий трубчастий наконечник; трубні з’єднувачі
Переріз проводу:
6...50мм2
Тип кримпера:
кабельних наконечників
Форма матриці:
WM
Недоступний
Резистор: thin film; 536Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 536Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; THT; 50,8x20,4x15,6мм; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; THT; 50,8x20,4x15,6мм; OUT: 1

1378,61 грн

Зовнішні розміри:
50,8x20,4x15,6мм
Кількість виходів:
1
Монтаж:
THT
Робоча температура:
-40...105°C
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; VQFN28
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; VQFN28

227,45 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
PMP; PPS; UART
Генератор вбудований:
8МГц
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD