Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 141А; Idm: 770А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ186E-T1_GE3
77,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 123нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 1,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 357Вт
Струм стока: 141А
Струм стоку в імпульсі: 770А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Варистор: багатошарові; SMD; 2220; 30ВAC; 38ВDC; 12Дж; 1,2кА; 47В
Варистор: багатошарові; SMD; 2220; 30ВAC; 38ВDC; 12Дж; 1,2кА; 47В

51,32 грн

Енергія 2 мс:
12Дж
Корпус - дюйм:
2220
Монтаж:
SMD
Напруга варистора:
47В
Недоступний
Ключ: комбінований; дюймове,тріскачка; 7/16"; 165мм; сталь
Ключ: комбінований; дюймове,тріскачка; 7/16"; 165мм; сталь

1328,56 грн

Вид ключа:
дюймове; тріскачка
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина:
165мм
Матеріал:
сталь
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 0,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 16А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 0,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 16А; PUR

2831,35 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP69K
Колір ізоляції:
сірий
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 2,7А
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 2,7А

2786,37 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
2,7А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

936,39 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Фоторезистор; 100мВт; 30÷90кОм; 560нм; THT; 150ВDC; ØLED: 5мм
Фоторезистор; 100мВт; 30÷90кОм; 560нм; THT; 150ВDC; ØLED: 5мм

20,27 грн

Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі у точці макс. чутливості:
560нм
Монтаж:
THT
Напруга живлення:
150В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 499кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 499кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23