Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 3,7А; Idm: 18А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 3,7А; Idm: 18А
Brand: VISHAY
SKU: SI3476DV-T1-BE3
Price: 9.82 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI3476DV-T1-BE3

9,82 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 6000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI3476DV-T1-BE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

4,9нКл

Корпус:

SC74; TSOP6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

93мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3,6Вт

Струм стока:

3,7А

Струм стоку в імпульсі:

18А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Напруга сток-джерело:
90В

Струм стока:
12А

Тип транзистора:
N-MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
10нКл

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
14,5нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
3,5нКл

Корпус:
SOT23