Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 93А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIR582DP-T1-BE3
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR582DP-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 33,5нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 3,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 92,5Вт
Струм стока: 93А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,3пФ
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 300Вт; 90÷264ВAC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 300Вт; 90÷264ВAC; OUT: 1

6207,56 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Вихідна напруга:
48В
Вихідний струм:
6,25А
Додаткові функції:
PFC; активне PFC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0303
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0303

46,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO; прозорий; LED; IP66
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO; прозорий; LED; IP66

864,80 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,08кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,08кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; 40В; 120А; 127Вт; PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; 40В; 120А; 127Вт; PowerFLAT 5x6

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
40нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD