Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 8В; 16А; Idm: 20А; 13Вт

Немає в наявності
Код товару: SI8416DB-T2-E1
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI8416DB-T2-E1
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: MICROFOOT® 1.6x1.6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±5В
Напруга сток-джерело: 8В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0603

3,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,6пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 111Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 111Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 10А; Полюси: 1; 6кА
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 10А; Полюси: 1; 6кА

115,31 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,6пФ
Недоступний
Мірник: частоти; на панель; аналоговий,монтажний; 72x72x64мм
Мірник: частоти; на панель; аналоговий,монтажний; 72x72x64мм

5008,88 грн

Вимір:
частоти
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61010-1
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Клас герметичності:
IP20 з боку роз'ємів; IP52
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD