1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А
Немає в наявності
Код товару: SQ2398ES-T1_GE3
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,4нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 720мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 1,6А
Струм стоку в імпульсі: 2,5А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; кутовий; код A
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; кутовий; код A

883,17 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
5м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1МОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1МОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
5,1мОм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.3mm; GKS-912; steel; 0.8N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.3mm; GKS-912; steel; 0.8N; plug-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
2,3мм
ROCKER; SP3T; Поз: 3; (ON)-OFF-(ON); 16A/250ВAC; чорний; 1500
ROCKER; SP3T; Поз: 3; (ON)-OFF-(ON); 16A/250ВAC; чорний; 1500

175,49 грн

Виводи:
конектори
Кількість всіх позицій:
3
Кількість фіксованих позицій:
1
Колір клавіші:
чорний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V

37,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HP; 200В

0,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Patch cord; U/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 3м; тросик; Cu
Patch cord; U/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 3м; тросик; Cu

135,58 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
U/UTP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD