Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 28,2А; Idm: 80А

Немає в наявності
Код товару: SIS606BDN-T1-GE3
120,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS606BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 20,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33,3Вт
Струм стока: 28,2А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; двоспрямована; DO214AA,SMB; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; двоспрямована; DO214AA,SMB; ролик,cтрічка

3,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
51В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-912; steel; 0.6N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-912; steel; 0.6N; plug-in

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
1,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; HP; 300В
Резистор: thick film; 1,2МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; HP; 300В

3,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А

18,75 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
7
Недоступний
Резистор: thin film; 3,97кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 3,97кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD