Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

Немає в наявності
Код товару: SIDR390DP-T1-GE3
86,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIDR390DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 153нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 510мкФ; 400ВDC; Ø35x50мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 510мкФ; 400ВDC; Ø35x50мм

685,51 грн

Висота:
50мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
510мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 250V

289,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED

3,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 4,9нГн; 1200мА; R: 0,081Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 4,9нГн; 1200мА; R: 0,081Ом; LQW; 180мм

3,93 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
4,9нГн
Корпус - дюйм:
0603
Ключ: комбінований; двосторонній; 15мм; L: 190мм
Ключ: комбінований; двосторонній; 15мм; L: 190мм

534,72 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 3113
Властивості ключів:
кільцева голівка вигнута на 15°
Довжина:
190мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 160пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 160пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 68Ом; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,51 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
68Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268