Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт

Немає в наявності
Код товару: SISH472DN-T1-GE3
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH472DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 12,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 18Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 6,81кОм; SMD; 0612; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,81кОм; SMD; 0612; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 32А; 1кВ; чорний; 2,5мм2
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 32А; 1кВ; чорний; 2,5мм2

175,49 грн

Відповідність стандарту:
CAT II 1000V; CAT III 600V; EN 61010
Діаметр проводу макс.:
4,6мм
Довжина:
65мм
Колір:
чорний
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; LQFP100; 1,62÷3,6ВDC; Зовн.перерив: 79
IC: мікроконтролер ARM; LQFP100; 1,62÷3,6ВDC; Зовн.перерив: 79

242,02 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
eMMC; I2C x2; I2S; JTAG; SD; SPI x3; SSC; SWD; UART x4; USB device
Кількість каналів PWM:
4
Роз’єм: SMB; гніздо; гніздовий; коаксіальний; кутове 90°; 50Ом
Роз’єм: SMB; гніздо; гніздовий; коаксіальний; кутове 90°; 50Ом

335,78 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид кабелю:
Belden 7805A; Belden 8216; Belden 83269; Belden 83284; Belden 84316; Leoni DACAR 462; Leoni DACAR 462-2; RG174; RG188; RG316; Shikoku 1.5DS-QFB-TA; Sumitomo 1.5DS-GXC-SP; Times LMR-100A; Times RG-174LL
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; паяння
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 15Аx2; Ifsm: 300А; TO247AD-3; туба; 35нс
Діод: випрямний; THT; 200В; 15Аx2; Ifsm: 300А; TO247AD-3; туба; 35нс

261,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO247AD-3
Недоступний
Patch cord; F/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 2м; тросик
Patch cord; F/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 2м; тросик

78,56 грн

Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
F/UTP
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздовий; OMNIMATE; 18А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздовий; OMNIMATE; 18А

539,15 грн

Alias:
BLZP 5.08HC/18/180F SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
16,1мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8