Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 60А; Idm: 150А

Немає в наявності
Код товару: SIR188DP-T1-RE3
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR188DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65,7Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: HDC; модуль; гніздовий; PIN: 2; для проводу; пневматичний
Роз’єм: HDC; модуль; гніздовий; PIN: 2; для проводу; пневматичний

2684,37 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Застосування роз’ємів:
на провід Ø2,5мм
Кількість пін:
2
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; однофазний; 250ВAC; Cx: 470нФ; Cy: 0,47нФ
Фільтр: проти перешкод; однофазний; 250ВAC; Cx: 470нФ; Cy: 0,47нФ

1234,80 грн

Виводи:
конектори
Вид фільтру:
однофазний
Ємність Cx:
0,47мкФ
Ємність Cy:
0,47нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,64кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 2,64кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 3,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 3,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 165кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 165кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Підставка; на шину DIN; -20÷60°C; IP20; 87,8x6,4x89,4мм
Підставка; на шину DIN; -20÷60°C; IP20; 87,8x6,4x89,4мм

1825,90 грн

Електричне під'єднування:
push-in
Зовнішні розміри:
87,8x6,4x89,4мм
Клас герметичності:
IP20
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Резистор: thin film; 619Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 619Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8