1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO14N60C2
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO14N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 405мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 11А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1210

15,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805

4,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 1,2кВ; 60А; Ifsm: 550А; TO247AC Modified; туба
Діод: випрямний; THT; 1,2кВ; 60А; Ifsm: 550А; TO247AC Modified; туба

236,32 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO247AC Modified
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 14Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 14Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Сенсорний перемикач; Il. кнопка: 10; чорний
Сенсорний перемикач; Il. кнопка: 10; чорний

3381,91 грн

Властивості перемикачів:
потрійний
Кількість кнопок:
10
Колір:
чорний
Режими роботи:
бістабільний
Недоступний
Діод: TVS; 0,15кВт; 26,7÷29,5В; 3,9А; односпрямована; SOD323HE
Діод: TVS; 0,15кВт; 26,7÷29,5В; 3,9А; односпрямована; SOD323HE

2,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
24В
Корпус:
SOD323HE
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: metal film; 182мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 182мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,81 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3