Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 15А; 86Вт; TO262

Немає в наявності
Код товару: WMN20N60C2
76,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMN20N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 15А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 2,3÷5,5ВDC; THT; DIP28; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 2,3÷5,5ВDC; THT; DIP28; PIC18; туба

122,28 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; CWG; HLVD; PoR; PPS; watchdog; XLP; zero cross detect
Інтерфейс:
EUSART; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Недоступний
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

10,77 грн

Alias:
KGM15ACG1H1R2CT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Вимикач безпеки: блокуючий; NO; IP65; Електр.під'єдн: M20 x3
Вимикач безпеки: блокуючий; NO; IP65; Електр.під'єдн: M20 x3

9984,81 грн

Виходи безпеки:
NC x2; NO x1
Властивості вимикачів безпеки:
без ключа; блокує ключ при подачі напруги
Електричне під'єднування:
M20 x3
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 100В; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ammo Pack

2,96 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO41; DO204AL
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

2,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT