Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 3А; 4,6Вт; SOT223

Немає в наявності
Код товару: WMF04N60C2
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMF04N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,6Вт
Струм стока: 3А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; однофазний; 250ВAC; Cx: 470нФ; Cy: 0,47нФ
Фільтр: проти перешкод; однофазний; 250ВAC; Cx: 470нФ; Cy: 0,47нФ

1234,80 грн

Виводи:
конектори
Вид фільтру:
однофазний
Ємність Cx:
0,47мкФ
Ємність Cy:
0,47нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,64кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 2,64кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 3,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 3,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 165кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 165кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Підставка; на шину DIN; -20÷60°C; IP20; 87,8x6,4x89,4мм
Підставка; на шину DIN; -20÷60°C; IP20; 87,8x6,4x89,4мм

1825,90 грн

Електричне під'єднування:
push-in
Зовнішні розміри:
87,8x6,4x89,4мм
Клас герметичності:
IP20
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Резистор: thin film; 619Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 619Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 14,25÷15,75ВDC; Uвих: 5ВDC; SMT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 14,25÷15,75ВDC; Uвих: 5ВDC; SMT

229,35 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
14,25...15,75В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В