Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMM11N65C2
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM11N65C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,54Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 9А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 24кБ; 1кБEEPROM,2кБSRAM; QFN44; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 24кБ; 1кБEEPROM,2кБSRAM; QFN44; DSPIC

289,53 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; PWM; SPI; UART
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 1.5A

204,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

42,45 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
21мм
Недоступний
IC: цифровий; транслятор; AND; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP5; 2,3÷3,6ВDC
IC: цифровий; транслятор; AND; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP5; 2,3÷3,6ВDC

17,11 грн

Вид затвору:
AND
Вид об'єднаної схеми:
транслятор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSSOP5
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; 28,5Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; 28,5Вт; DPAK

13,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 4,5÷5,5ВDC
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 4,5÷5,5ВDC

263,56 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMAC x4; motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 301кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 301кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

55,75 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
U-DFN2020-6 Type E
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK; TO263