Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 2,6А; 29Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: WMO04N70C2
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 504
Крок додавання: 504
Код товару: WMO04N70C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 2,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29Вт
Струм стока: 2,6А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 84МГц; UFQFPN48; 1,7÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 84МГц; UFQFPN48; 1,7÷3,6ВDC

142,55 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DSP; FPU; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x3; I2S x2; SPI x3; USART x3
Недоступний
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 8÷75ВDC; Uвих: 8÷75ВDC; SSOP28; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 8÷75ВDC; Uвих: 8÷75ВDC; SSOP28; SMD

503,68 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
8...75В DC
Вхідна напруга:
8...75В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 30,9кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 30,9кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,9пФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S