Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 42Вт; TO262

Немає в наявності
Код товару: WMN07N70C2
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMN07N70C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 4А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; THT; straight

60,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 100V

95,03 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 4А

1053,60 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,21Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,50 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

1625,70 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,14А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 732Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 732Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 24А; 390Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 24А; 390Вт; TO220AB

376,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 180Вт; TO220AB; 38нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 180Вт; TO220AB; 38нс

174,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
57нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 88А; 600Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 88А; 600Вт; TO264

968,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 20А; 380Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 20А; 380Вт; TO3P

373,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 50А; 400Вт; TO220AB; 166нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 50А; 400Вт; TO220AB; 166нс

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
78нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 500Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 500Вт; TO247-3

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 1040Вт; TO3P

589,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO3P