Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: WMK09N70C2
57,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK09N70C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 5,3А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Товщина радіатора: 1,2...1,45мм
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

34,21 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,1А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X5R; ±10%; SMD; 1206

3,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402

1,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В

1,55 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,55мм
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,15 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В