1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 900В; 4,8А; Idm: 16А; 85Вт

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 900В; 4,8А; Idm: 16А; 85Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMP09N90C2
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMP09N90C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 900В
Опір в стані провідності: 1,37Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 4,8А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 201В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 201В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

25,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
180В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thick film; 2,1кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,1кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: driver; півмісток IGBT; high-side,контролер затворів IGBT
IC: driver; півмісток IGBT; high-side,контролер затворів IGBT

333,25 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-side; контролер затворів IGBT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-2...1А
Властивості інтегральних мікросхем:
integrated bootstrap functionality; вбудований компаратор; вбудований операційний підсилювач
Недоступний
Резистор: thin film; 20Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 20Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø16x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø16x25мм; ±20%

105,80 грн

Висота:
25мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1200мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1200мкФ; 6,3ВDC; ±20%

8,55 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А

398,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
93нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 41Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 41Вт

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт

191,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
I2PAK; TO262