1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMJ36N60C4
368,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ36N60C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 97мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: поліпропиленовий; 0,15мкФ; 450ВDC; 15мм; ±2%; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 0,15мкФ; 450ВDC; 15мм; ±2%; THT

127,34 грн

Допуск:
±2%
Ємність:
0,15мкФ
Застосування конденсаторів:
аудіопристрої
Кліматична категорія:
25/085/21
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,3Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
18...18,96В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В

1237,33 грн

Довжина проводу:
7,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; 40мкА; туба
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; 40мкА; туба

63,17 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 128кБEEPROM; I2C; 16Кx8бит; TDFN8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 128кБEEPROM; I2C; 16Кx8бит; TDFN8; послідовний

25,79 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
TDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC

374,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3

413,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT