Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMJ36N60C4
368,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ36N60C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 97мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2пФ
Кабель; USB 2.0; USB A вилка,USB B вилка; нікельований; 1,8м
Кабель; USB 2.0; USB A вилка,USB B вилка; нікельований; 1,8м

91,23 грн

Довжина кабелю:
1,8м
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB A вилка; USB B вилка
Модель:
USB 2.0
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
18...18,96В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

5,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS

35,48 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А

785,61 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
3; 4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD