Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 31Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WML15N60C4
76,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML15N60C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 14,6нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 7,8А
Струм стоку в імпульсі: 26А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 12В; SMD; DO213AB,MELF glass; 5мкА
Діод: зенера; 1Вт; 12В; SMD; DO213AB,MELF glass; 5мкА

165,36 грн

Допуск:
±10%
Зенерівська напруга:
12В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
31,6кОм; Вив: осьові; Ø: 2,77мм; L: 6,3мм
31,6кОм; Вив: осьові; Ø: 2,77мм; L: 6,3мм

1258,24 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,77мм
Довжина:
6,3мм
Опір:
31,6кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,39нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 16,2Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3