1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 31Вт

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 31Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WML15N60C4
76,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML15N60C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 14,6нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 7,8А
Струм стоку в імпульсі: 26А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 20А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; 240ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 20А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; 240ВAC

8056,90 грн

Вид вимикача:
тип G
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Диференціальний струм:
0,3А
Кількість полюсів:
1+N
Недоступний
Резистор: thick film; 536кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 536кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 32МГц; 2÷3,6ВDC; SMD; TQFP100; PIC24
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 32МГц; 2÷3,6ВDC; SMD; TQFP100; PIC24

326,28 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMA; EPMP; HLVD; LCD controller; PoR; PPS; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
FIFO; I2C x3; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; UART x6; USB 2.0
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 16,2Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 20Ом; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
20Ом
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 140,4В; 78,5А; односпрямована; ±5%; P600; 15KPA
Діод: TVS; 15кВт; 140,4В; 78,5А; односпрямована; ±5%; P600; 15KPA

451,72 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
120В
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® 440 CP; 7G0,5мм2; PUR; сірий; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® 440 CP; 7G0,5мм2; PUR; сірий; 300В,500В

779,90 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я; що самогаситься
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3

751,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30,6нКл
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт

421,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD