Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMJ36N60F2
331,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ36N60F2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: WMOS™ F2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 379кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 379кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 324Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 324Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1024кБ; 200МГц; 2,2÷3,6ВDC; SMD; TQFP100
IC: мікроконтролер PIC; 1024кБ; 200МГц; 2,2÷3,6ВDC; SMD; TQFP100

644,96 грн

Вид архітектури:
32бит; MIPS32 M-Class
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; CVD; DMAC x8; HLVD; PMP; PoR; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,25В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,25В

3,42 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,25В
Вихідний струм:
0,2А
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,8кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
6,8кОм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA

299,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт

415,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF

496,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
TO3PF