Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMJ90N60F2
866,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 142нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 33мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 430Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 295А
Технологія: WMOS™ F2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,4пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; вертикальне; IP67
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; вертикальне; IP67

265,46 грн

Alias:
SAL-8S-FKH3-X10/SMT
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 6,04Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 6,04Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
6,04Ом
Трансформатор: мережевий; 160ВА; 230ВAC; 12В; Вив: затискна планка
Трансформатор: мережевий; 160ВА; 230ВAC; 12В; Вив: затискна планка

2336,55 грн

Виводи:
затискна планка
Вторинна напруга 1:
12В
Електрична міцність ізоляції:
4,5кВ/60с
Зовнішні розміри:
84x113x126мм
Недоступний
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В