1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 50А; Idm: 295А

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 50А; Idm: 295А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMJ90N65F2
1038,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 142нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 33мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 430Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 295А
Технологія: WMOS™ F2
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 15пФ; 250ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 15пФ; 250ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

5,89 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
15пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x15мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 78,96м3/г
Вентилятор: DC; 80x80x15мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 78,96м3/г

0,00 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,91пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,91пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,91пФ
Недоступний
Роз’єм: DIN 41612; гніздо; гніздовий; прямий; затискання
Роз’єм: DIN 41612; гніздо; гніздовий; прямий; затискання

5578,44 грн

Engineering PN:
DIN-Power crimp 2,F, PL2, 250 Rolle
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Резистор: thin film; 20кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 20кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 2,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 2,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,1Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 324Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 324Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3