Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; польовий; 600В; 13А; 86Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMM16N60FD
67,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM16N60FD
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,32Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 13А
Технологія: WMOS™ FD
Тип транзистора: N-MOSFET
6,8мкФ; 26x10,5x19мм; 22,5мм; Вив: радіальні
6,8мкФ; 26x10,5x19мм; 22,5мм; Вив: радіальні

823,62 грн

Виводи:
радіальні
Ємність:
6,8мкФ
Растр виводів:
22,5мм
Розміри корпусу:
26x10,5x19мм
Резистор: дротяний; 10кОм; THT; 16Вт; ±5%; 21x21x11мм; -55÷200°C
Резистор: дротяний; 10кОм; THT; 16Вт; ±5%; 21x21x11мм; -55÷200°C

160,29 грн

Виводи:
до лютування; кільцеві
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
10кОм
Недоступний
IC: пам’ять; MRAM; 128кбMRAM; 16Кx8бит; DFN8; послідовний; SMD
IC: пам’ять; MRAM; 128кбMRAM; 16Кx8бит; DFN8; послідовний; SMD

0,00 грн

Вид пам’яті:
MRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,11 грн

Alias:
KGM21BCG2A102JM
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 117; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 117; THT; straight

87,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,2мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V

129,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
10,8мм
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 16ВDC; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 16ВDC; X5R; ±10%; SMD; 1206

3,66 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD