Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10,5А; 85Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: WMM11N80M3
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM11N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 10,5А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 6,3ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 6,3ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0603

1,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 1,37Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
1,37Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 768кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 768кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: FFC/FPC; позолочений; 50В; Контакти: фосфориста бронза
Роз’єм: FFC/FPC; позолочений; 50В; Контакти: фосфориста бронза

0,00 грн

Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Номінальна напруга:
50В
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В