Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 31Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WML10N80M3
57,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML10N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,03Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 10А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; SMT; straight

59,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,2мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: metal film; 9,31кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 9,31кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 66,5кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 66,5кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В

1,85 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 7,22В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 7,22В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

254,69 грн

Зворотна напруга макс.:
6,5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; 56нФ; 1кВDC; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 56нФ; 1кВDC; X7R; ±10%; SMD; 1812

27,24 грн

Властивості конденсаторів:
soft termination
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
56нФ
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P

600,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
127нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
42нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс

349,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 170В; 220А; 1250Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 170В; 220А; 1250Вт; PLUS247™

688,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
500нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 150А; 480Вт; TO220AB; 100нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 150А; 480Вт; TO220AB; 100нс

483,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
105нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 64А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 64А; 1250Вт; TO264

714,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 500Вт; TO220AB

247,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB