1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 12А; 86Вт; TO262

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 12А; 86Вт; TO262
Немає в наявності
Код товару: WMN12N80M3
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMN12N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 620мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 12А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 63,4Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 63,4Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 160мкГн; 0,3А; R: 7920мОм; ±20%; Ø7,5x24мм
Реактор: дротяний; THT; 160мкГн; 0,3А; R: 7920мОм; ±20%; Ø7,5x24мм

87,43 грн

Виводи:
осьові
Висота:
24мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

14,13 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; UQFN28; PIC24; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; UQFN28; PIC24; 8кБSRAM

106,44 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMAC x6; HLVD; LCD controller; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; FIFO; I2C x2; I2S; IrDA; JTAG; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SPI x2; UART x4
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 24,4÷26,9В; 423А; односпрямована; SPD4; розсипний
Діод: TVS; 15кВт; 24,4÷26,9В; 423А; односпрямована; SPD4; розсипний

1400,15 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
22В
Корпус:
SPD4
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,00 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
220пФ
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3