Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 4А; 45Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: WMO05N80M3
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO05N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 2,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 4А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 25В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 25В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005

1,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,9пФ
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 10; LAT-CON127
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 10; LAT-CON127

70,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
13,65мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 2,4Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В

1,02 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 856кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 856кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

1,38 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 7,6нГн; 750мА; R: 0,058Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 7,6нГн; 750мА; R: 0,058Ом; LQW; 180мм

3,45 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Індуктивність:
7,6нГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD